CVD SiC пакрыццё

Уводзіны ў пакрыццё з карбіду крэмнія 

Наша пакрыццё з карбіду крэмнія (SiC) для хімічнага асаджэння з паравай фазы (CVD) з'яўляецца вельмі трывалым і зносаўстойлівым пластом, ідэальным для асяроддзяў, якія патрабуюць высокай каразійнай і цеплавой устойлівасці.Пакрыццё з карбіду крэмніянаносіцца тонкімі пластамі на розныя падкладкі з дапамогай працэсу CVD, забяспечваючы выдатныя характарыстыкі.


Асноўныя характарыстыкі

       ● -Выключная чысціня: Маючы звышчысты склад99,99995%, нашSiC пакрыццёмінімізуе рызыку заражэння пры адчувальных паўправадніковых аперацыях.

● -Выдатная супраціўляльнасць: Праяўляе выдатную ўстойлівасць да зносу і карозіі, што робіць яго ідэальным для складаных хімічных і плазменных налад.
● -Высокая цеплаправоднасць: Забяспечвае надзейную працу пры экстрэмальных тэмпературах дзякуючы сваім выдатным цеплавым уласцівасцям.
● -Стабільнасць памераў: Захоўвае структурную цэласнасць у шырокім дыяпазоне тэмператур дзякуючы нізкаму каэфіцыенту цеплавога пашырэння.
● -Павышаная цвёрдасць: З рэйтынгам цвёрдасці40 ГПа, наша пакрыццё SiC вытрымлівае значныя ўдары і ізаляцыю.
● -Гладкая аздабленне паверхні: Забяспечвае люстраную аздабленне, памяншаючы адукацыю часціц і павышаючы эфектыўнасць працы.


Прыкладанні

Полуцветковые SiC пакрыццявыкарыстоўваюцца на розных этапах вытворчасці паўправаднікоў, у тым ліку:

● -Выраб святлодыёдных мікрасхем
● -Вытворчасць поликремния
● -Вырошчванне паўправадніковых крышталяў
● -Крэмній і SiC эпітаксія
● -Тэрмічнае акісленне і дыфузія (TO&D)

 

Мы пастаўляем кампаненты з пакрыццём SiC, вырабленыя з высокатрывалага ізастатычнага графіту, вугляроду, армаванага вугляродным валакном, і рэкрышталізаванага карбіду крэмнію 4N, прызначаныя для рэактараў з кіпячым пластом,Канвертары STC-TCS, рэфлектары блокаў CZ, лодка для пласцін SiC, пласціна SiC, трубка для пласцін SiC і носьбіты для пласцін, якія выкарыстоўваюцца ў працэсах PECVD, крэмніевай эпітаксіі, MOCVD.


Перавагі

● -Падоўжаны тэрмін службы: Значна скарачае час прастою абсталявання і выдаткі на тэхнічнае абслугоўванне, павышаючы агульную эфектыўнасць вытворчасці.
● -Палепшаная якасць: Дасягае паверхні высокай чысціні, неабходнай для апрацоўкі паўправаднікоў, тым самым павышаючы якасць прадукцыі.
● -Павышаная эфектыўнасць: Аптымізуе тэрмічныя і CVD працэсы, што прыводзіць да скарачэння часу цыклу і павышэння ўраджаю.


Тэхнічныя характарыстыкі
     

● -Структура: FCC β-фаза полікрышталічная, у асноўным арыентаваная (111).
● -Шчыльнасць: 3,21 г/см³
● -Цвёрдасць: цвёрдасць па Вікесу 2500 (нагрузка 500 г)
● -Глейкасць разбурэння: 3,0 МПа·м1/2
● - Каэфіцыент цеплавога пашырэння (100–600 °C): 4,3 х 10-6k-1
● -Модуль пругкасці(1300 ℃):435 ГПа
● -Тыповая таўшчыня плёнкі:100 мкм
● -Шурпатасць паверхні:2-10 мкм


Дадзеныя аб чысціні (вымераныя метадам мас-спектраскапіі тлеючага разраду)

элемент

праміле

элемент

праміле

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Ал

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Выкарыстоўваючы перадавыя тэхналогіі CVD, мы прапануем індывідуальныяРашэнні для пакрыццяў SiCдля задавальнення дынамічных патрэб нашых кліентаў і падтрымкі прагрэсу ў вытворчасці паўправаднікоў.