Semicera Semicera забяспечвае спецыяльныя пакрыцця з карбіду тантала (TaC) для розных кампанентаў і носьбітаў.Вядучы працэс нанясення пакрыцця Semicera Semicera дазваляе пакрыццям з карбіду тантала (TaC) дасягнуць высокай чысціні, высокай тэмпературнай стабільнасці і высокай хімічнай устойлівасці, паляпшаючы якасць крышталяў SIC/GAN і слаёў EPI (Тас-суцэптар з графітавым пакрыццём), а таксама падаўжэнне тэрміну службы ключавых кампанентаў рэактара.Выкарыстанне пакрыцця з карбіду тантала TaC павінна вырашыць праблему краю і палепшыць якасць росту крышталяў, а Semicera Semicera здзейсніла прарыў у тэхналогіі пакрыцця з карбіду тантала (CVD), дасягнуўшы міжнароднага прасунутага ўзроўню.
Пасля многіх гадоў распрацоўкі Semicera заваявала тэхналогіюCVD TaCсумеснымі намаганнямі навукова-даследчага аддзела.Дэфекты лёгка ўзнікнуць у працэсе росту SiC пласцін, але пасля выкарыстанняTaC, розніца істотная.Ніжэй прыводзіцца параўнанне пласцін з TaC і без яго, а таксама частак Simicera для росту монакрышталяў.
з TaC і без
Пасля выкарыстання TaC (справа)
Больш за тое, Semicera стПрадукты з пакрыццём TaCпраяўляюць больш працяглы тэрмін службы і вялікую ўстойлівасць да высокіх тэмператур у параўнанні зSiC пакрыцця.Лабараторныя вымярэнні паказалі, што нашTaC пакрыццяможа паслядоўна працаваць пры тэмпературах да 2300 градусаў Цэльсія на працягу працяглых перыядаў.Ніжэй прыведзены некаторыя прыклады нашых узораў:
