Semicera забяспечвае спецыялізаваныя пакрыцця з карбіду тантала (TaC) для розных кампанентаў і носьбітаў.Вядучы працэс нанясення пакрыцця Semicera дазваляе пакрыццям з карбіду тантала (TaC) дасягнуць высокай чысціні, стабільнасці пры высокай тэмпературы і высокай хімічнай устойлівасці, паляпшаючы якасць крышталяў SIC/GAN і слаёў EPI (Тас-суцэптар з графітавым пакрыццём), а таксама падаўжэнне тэрміну службы ключавых кампанентаў рэактара.Выкарыстанне пакрыцця з карбіду тантала TaC павінна вырашыць праблему краёў і палепшыць якасць росту крышталяў, а Semicera здзейсніла прарыў у вырашэнні тэхналогіі пакрыцця з карбіду тантала (CVD), дасягнуўшы міжнароднага прасунутага ўзроўню.
З з'яўленнем 8-цалевых пласцін з карбіду крэмнія (SiC) патрабаванні да розных паўправадніковых працэсаў сталі ўсё больш жорсткімі, асабліва да працэсаў эпітаксіі, дзе тэмпература можа перавышаць 2000 градусаў Цэльсія.Традыцыйныя матэрыялы-прымачы, такія як графіт, пакрыты карбідам крэмнію, маюць тэндэнцыю да сублімацыі пры гэтых высокіх тэмпературах, што парушае працэс эпітаксіі.Аднак CVD карбід тантала (TaC) эфектыўна вырашае гэтую праблему, вытрымліваючы тэмпературу да 2300 градусаў Цэльсія і забяспечваючы больш працяглы тэрмін службы.Звязацца з Semicera's Пакрыццё з карбіду тантала Паўмесяцкаб даведацца больш аб нашых перадавых рашэннях.
Пасля многіх гадоў распрацоўкі Semicera заваявала тэхналогіюCVD TaCсумеснымі намаганнямі навукова-даследчага аддзела.Дэфекты лёгка ўзнікнуць у працэсе росту SiC пласцін, але пасля выкарыстанняTaC, розніца істотная.Ніжэй прыводзіцца параўнанне пласцін з TaC і без яго, а таксама частак Simicera для росту монакрышталяў.
з TaC і без
Пасля выкарыстання TaC (справа)
Больш за тое, Semicera стПрадукты з пакрыццём TaCпраяўляюць больш працяглы тэрмін службы і вялікую ўстойлівасць да высокіх тэмператур у параўнанні зSiC пакрыцця.Лабараторныя вымярэнні паказалі, што нашTaC пакрыццяможа паслядоўна працаваць пры тэмпературах да 2300 градусаў Цэльсія на працягу працяглых перыядаў.Ніжэй прыведзены некаторыя прыклады нашых узораў:
Суцэптар з пакрыццём TaC
Графіт з рэактарам з пакрыццём TaC
