Semicera забяспечвае спецыялізаваныя пакрыцця з карбіду тантала (TaC) для розных кампанентаў і носьбітаў.Вядучы працэс нанясення пакрыцця Semicera дазваляе пакрыццям з карбіду тантала (TaC) дасягнуць высокай чысціні, стабільнасці пры высокай тэмпературы і высокай хімічнай устойлівасці, паляпшаючы якасць крышталяў SIC/GAN і слаёў EPI (Тас-суцэптар з графітавым пакрыццём), а таксама падаўжэнне тэрміну службы ключавых кампанентаў рэактара. Выкарыстанне пакрыцця з карбіду тантала TaC павінна вырашыць праблему краёў і палепшыць якасць росту крышталяў, а Semicera здзейсніла прарыў у вырашэнні тэхналогіі пакрыцця з карбіду тантала (CVD), дасягнуўшы міжнароднага прасунутага ўзроўню.
Графіт - выдатны высокатэмпературны матэрыял, але пры высокіх тэмпературах ён лёгка акісляецца. Нават у вакуумных печах з інэртным газам ён можа падвяргацца павольнаму акісленню. Выкарыстанне CVD-пакрыцця з карбіду тантала (TaC) можа эфектыўна абараніць графітавую падкладку, забяспечваючы такую ж устойлівасць да высокіх тэмператур, што і графіт. TaC таксама з'яўляецца інэртным матэрыялам, гэта значыць ён не будзе ўступаць у рэакцыю з такімі газамі, як аргон або вадарод пры высокіх тэмпературах.ЗапытCVD-пакрыццё EPI з карбіду танталу цяпер!
Пасля многіх гадоў распрацоўкі Semicera заваявала тэхналогіюCVD TaCсумеснымі намаганнямі навукова-даследчага аддзела. Дэфекты лёгка ўзнікнуць у працэсе росту SiC пласцін, але пасля выкарыстанняTaC, розніца істотная. Ніжэй прыводзіцца параўнанне пласцін з TaC і без яго, а таксама частак Simicera для росту монакрышталяў.
з TaC і без
Пасля выкарыстання TaC (справа)
Больш за тое, Semicera стПрадукты з пакрыццём TaCпраяўляюць больш працяглы тэрмін службы і вялікую ўстойлівасць да высокіх тэмператур у параўнанні зSiC пакрыцця.Лабараторныя вымярэнні паказалі, што нашTaC пакрыццяможа паслядоўна працаваць пры тэмпературах да 2300 градусаў Цэльсія на працягу працяглых перыядаў. Ніжэй прыведзены некаторыя прыклады нашых узораў:
