Semicera забяспечвае спецыялізаваныя пакрыцця з карбіду тантала (TaC) для розных кампанентаў і носьбітаў.Вядучы працэс нанясення пакрыцця Semicera дазваляе пакрыццям з карбіду тантала (TaC) дасягнуць высокай чысціні, стабільнасці пры высокай тэмпературы і высокай хімічнай устойлівасці, паляпшаючы якасць крышталяў SIC/GAN і слаёў EPI (Тас-суцэптар з графітавым пакрыццём), а таксама падаўжэнне тэрміну службы ключавых кампанентаў рэактара. Выкарыстанне пакрыцця з карбіду тантала TaC павінна вырашыць праблему краёў і палепшыць якасць росту крышталяў, а Semicera здзейсніла прарыў у вырашэнні тэхналогіі пакрыцця з карбіду тантала (CVD), дасягнуўшы міжнароднага прасунутага ўзроўню.
Пасля многіх гадоў распрацоўкі Semicera заваявала тэхналогіюCVD TaCсумеснымі намаганнямі навукова-даследчага аддзела. Дэфекты лёгка ўзнікнуць у працэсе росту SiC пласцін, але пасля выкарыстанняTaC, розніца істотная. Ніжэй прыводзіцца параўнанне пласцін з TaC і без яго, а таксама частак Semicera для росту монакрышталяў
з TaC і без
Пасля выкарыстання TaC (справа)
Акрамя таго, тэрмін службы вырабаў з TaC-пакрыццяў Semicera больш працяглы і больш устойлівы да высокай тэмпературы, чым у SiC-пакрыцця. Пасля доўгага часу лабараторных вымярэнняў наш TaC можа працаваць на працягу доўгага часу пры максімум 2300 градусах Цэльсія. Вось некаторыя з нашых узораў:
(a) Прынцыповая дыяграма прылады для вырошчвання монакрысталічнага злітка SiC метадам PVT (b) Верхняя затравочная дужка з пакрыццём TaC (уключаючы затраўку SiC) (c) Накіравальнае кольца з графітавым пакрыццём з TAC
-
Крышталь карбіду крэмнію высокай чысціні для пераноскі...
-
Карбід крэмнію (SiC) вафельныя токоприемники для MOCVD
-
SiC пакрыццё крэмнію эпітаксіяльнага нанясення ў бар...
-
Стволавы рэактар з SiC-пакрыццём для вадкаснай эпітаксіі
-
Графітавая вафельная прылада з пакрыццём SiC
-
Паўправадніковыя другія часткі для эпітаксіі