Асаблівасці:
Кераміка з выкарыстаннем гэтага метаду ўключае TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 і SiC.Розныя характарыстыкіз'яўляюцца тое, што іх электраправоднасць змяняецца ў залежнасці ад навакольнага асяроддзя, што можа быць выкарыстана для вырабу розных тыпаў керамічных адчувальных прылад.
Такія, як адчувальныя да цяпла, газу, вільготнасці, ціску, святла і іншыя датчыкі.Паўправадніковыя шпінельныя матэрыялы, такія як Fe3O4, змешваюцца з неправадніковымі шпінельнымі матэрыяламі, такімі як MgAl2O4, у кантраляваных цвёрдых растворах.
MgCr2O4 і Zr2TiO4 могуць быць выкарыстаны ў якасці тэрмарэзістараў, якія ўяўляюць сабой старанна кантраляваныя прылады супраціву, якія змяняюцца ў залежнасці ад тэмпературы.ZnO можна мадыфікаваць шляхам дадання такіх аксідаў, як Bi, Mn, Co і Cr.
Большасць гэтых аксідаў не з'яўляюцца цвёрда растворанымі ў ZnO, але адхіляюцца на мяжы зерняў, каб утварыць бар'ерны пласт, каб атрымаць варыстарныя керамічныя матэрыялы ZnO, і з'яўляюцца адным з відаў матэрыялаў з найлепшымі характарыстыкамі ў варыстарнай кераміцы.
SiC допінг (напрыклад, чалавечая сажа, парашок графіту) можа падрыхтаваццапаўправадніковыя матэрыялыз высокай тэмпературнай стабільнасцю, выкарыстоўваецца ў якасці розных супраціўляльных награвальных элементаў, гэта значыць крамянёвых вугляродных стрыжняў у высокатэмпературных электрычных печах.Кантралюйце ўдзельнае супраціўленне і папярочны перасек SiC, каб дасягнуць практычна ўсяго жаданага
Ўмовы эксплуатацыі (да 1500 ° С), павышэнне яго ўдзельнага супраціву і памяншэнне перасеку награвальнага элемента прывядуць да павелічэння вылучаемай цеплыні.Крамянёвы вугляродны стрыжань у паветры будзе адбывацца рэакцыяй акіслення, выкарыстанне тэмпературы, як правіла, абмежавана 1600°C ніжэй, звычайнага тыпу крамянёвага вугляроднага стрыжня
Бяспечная рабочая тэмпература складае 1350°C.У SiC атам Si заменены атамам N, таму што ў N больш электронаў, ёсць лішак электронаў, і яго энергетычны ўзровень блізкі да ніжняй зоны праводнасці, і яго лёгка падняць да зоны праводнасці, таму гэты энергетычны стан таксама называецца ўзровень донара, гэта палова
Праваднікі - гэта паўправаднікі N-тыпу або электроннаправодныя паўправаднікі.Калі атам Al выкарыстоўваецца ў SiC для замены атама Si, з-за адсутнасці электрона сфармаваны энергетычны стан матэрыялу блізкі да зоны валентных электронаў вышэй, ён лёгка прымае электроны, і таму называецца акцэптантам
Асноўны энергетычны ўзровень, які пакідае вакантную пазіцыю ў валентнай зоне, якая можа праводзіць электроны, таму што вакантная пазіцыя дзейнічае гэтак жа, як носьбіт дадатнага зараду, называецца паўправадніком Р-тыпу або дзіркавым паўправадніком (H. Sarman, 1989).
Час публікацыі: 2 верасня 2023 г