Як адзін з асноўных кампанентаў, graphite base is the carrier and heating body of the substrate, which directly determines the uniformity and purity of the film material, so its quality directly affects the preparation of the epitaxial sheet, and at the same time, with the increase of the number of выкарыстання і змены ўмоў працы, вельмі лёгка насіць, якія належаць да расходных матэрыялаў.
Хоць графіт валодае выдатнай цеплаправоднасцю і стабільнасцю, ён мае добрую перавагу ў якасці базавага кампанентаУ той жа час графітавы парашок, які падае, забруджвае мікрасхему.
У асяроддзі выкарыстання, графітавыя асноўныя паверхні павінны адпавядаць наступным характарыстыках:
(1) Графітавая аснова можа быць цалкам загорнута, і шчыльнасць добрая, у адваротным выпадку графітавая аснова лёгка падвяргаецца карозіі ў агрэсіўным газе.
(2) Трываласць спалучэння з графітнай асновай высокая, каб гарантаваць, што пасля некалькіх высокіх тэмпературных цыклаў пакрыцця не проста ўпасці.
SiC мае такія перавагі, як устойлівасць да карозіі, высокая цеплаправоднасць, устойлівасць да тэрмічнага ўдару і высокая хімічная стабільнасць, і можа добра працаваць у эпітаксіяльнай атмасферы GaN.Акрамя таго, каэфіцыент цеплавога пашырэння SiC вельмі мала адрозніваецца ад каэфіцыента цеплавога пашырэння графіту, таму SiC з'яўляецца пераважным матэрыялам для пакрыцця паверхні графітавай асновы.
У цяперашні час агульны SiC - гэта ў асноўным тыпы 3C, 4H і 6H, і розныя тыпы крышталяў SiC выкарыстоўваюцца па-рознаму.Напрыклад, 4H-SiC можа вырабляць прылады высокай магутнасці;6H-SiC з'яўляецца найбольш стабільным і можа вырабляць фотаэлектрычныя прылады;З-за сваёй структуры, падобнай да GaN, 3C-SiC можа быць выкарыстаны для вытворчасці эпітаксіяльнага пласта GaN і вырабу радыёчастотных прылад SiC-GaN.3C-SiC таксама шырока вядомы якβ-Сік і важнае выкарыстаннеβ-Сік -гэта як фільм і матэрыял для пакрыцця, так штоβ-SiC у цяперашні час з'яўляецца асноўным матэрыялам для пакрыцця.