Аб'ёмны карбід крэмнію (SiC) CVD
агляд:ССЗмасавы карбід крэмнію (SiC)з'яўляецца вельмі запатрабаваным матэрыялам у абсталяванні для плазменнага тручэння, хуткай цеплавой апрацоўкі (RTP) і іншых працэсах вытворчасці паўправаднікоў. Яго выключныя механічныя, хімічныя і тэрмічныя ўласцівасці робяць яго ідэальным матэрыялам для перадавых тэхналогій, якія патрабуюць высокай дакладнасці і даўгавечнасці.
Прымяненне CVD Bulk SiC:Аб'ёмны SiC мае вырашальнае значэнне ў паўправадніковай прамысловасці, асабліва ў сістэмах плазменнага тручэння, дзе такія кампаненты, як фокусныя кольцы, газавыя душавыя насадкі, краёвыя кольцы і валікі, карыстаюцца выдатнымі карозійнай устойлівасцю і цеплаправоднасцю SiC. Яго выкарыстанне распаўсюджваецца наRTPсістэм дзякуючы здольнасці SiC супрацьстаяць хуткім тэмпературным ваганням без значнай дэградацыі.
У дадатак да абсталявання для тручэння, CVDаб'ёмны SiCз'яўляецца перавагай у дыфузійных печах і працэсах росту крышталяў, дзе патрабуецца высокая тэрмічная стабільнасць і ўстойлівасць да рэзкіх хімічных умоў. Гэтыя атрыбуты робяць SiC матэрыялам выбару для прыкладанняў з высокім попытам, звязаных з высокімі тэмпературамі і агрэсіўнымі газамі, напрыклад, якія змяшчаюць хлор і фтор.
Перавагі кампанентаў CVD Bulk SiC:
•Высокая шчыльнасць:Пры шчыльнасці 3,2 г/см³,CVD аб'ёмны SiCкампаненты адрозніваюцца высокай устойлівасцю да зносу і механічных уздзеянняў.
•Выдатная цеплаправоднасць:Маючы цеплаправоднасць 300 Вт/м·К, аб'ёмны SiC эфектыўна кіруе цяплом, што робіць яго ідэальным для кампанентаў, якія падвяргаюцца экстрэмальным цеплавым цыклам.
•Выключная хімічная ўстойлівасць:Нізкая рэакцыйная здольнасць SiC з газамі для тручэння, уключаючы хімікаты на аснове хлору і фтору, забяспечвае працяглы тэрмін службы кампанентаў.
•Рэгуляваны супраціў: CVD маса SiCудзельнае супраціўленне можна наладзіць у дыяпазоне 10⁻²–10⁴ Ω-см, што робіць яго адаптаваным да канкрэтных патрэбаў тручэння і вытворчасці паўправаднікоў.
•Каэфіцыент цеплавога пашырэння:Маючы каэфіцыент цеплавога пашырэння 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD аб'ёмны SiC супрацьстаіць цеплавому ўдару, захоўваючы стабільнасць памераў нават падчас хуткіх цыклаў нагрэву і астуджэння.
•Трываласць у плазме:Ўздзеянне плазмы і рэактыўных газаў непазбежна ў паўправадніковых працэсах, алеCVD аб'ёмны SiCзабяспечвае выдатную ўстойлівасць да карозіі і дэградацыі, памяншаючы частату замены і агульныя выдаткі на тэхнічнае абслугоўванне.
Тэхнічныя характарыстыкі:
•дыяметр:Больш за 305 мм
•Удзельнае супраціўленне:Рэгулюецца ў межах 10⁻²–10⁴ Ω-см
•Шчыльнасць:3,2 г/см³
•Цеплаправоднасць:300 Вт/м·К
•Каэфіцыент цеплавога пашырэння:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Настройка і гнуткасць:УПаўправаднік Semicera, мы разумеем, што кожнае прымяненне паўправаднікоў можа патрабаваць розных спецыфікацый. Вось чаму нашы CVD масіўныя кампаненты SiC цалкам наладжвальныя, з рэгуляваным удзельным супраціўленнем і індывідуальнымі памерамі ў адпаведнасці з вашымі патрэбамі абсталявання. Незалежна ад таго, аптымізуеце вы свае сістэмы плазменнага тручэння або шукаеце трывалыя кампаненты ў працэсах RTP або дыфузіі, наш CVD аб'ёмны SiC забяспечвае неперасягненую прадукцыйнасць.
