Апісанне
Наша кампанія прадастаўляе паслугі па нанясенні пакрыцця SiC метадам CVD на паверхні графіту, керамікі і іншых матэрыялаў, так што спецыяльныя газы, якія змяшчаюць вуглярод і крэмній, рэагуюць пры высокай тэмпературы з атрыманнем малекул SiC высокай чысціні, малекул, асаджаных на паверхні матэрыялаў з пакрыццём, фарміраванне SIC ахоўнага пласта.
Асноўныя рысы
1. Устойлівасць да акіслення пры высокай тэмпературы: устойлівасць да акіслення па-ранейшаму вельмі добрая, калі тэмпература дасягае 1600 C.
2. Высокая чысціня: вырабляецца шляхам хімічнага асаджэння з паравай фазы ва ўмовах высокатэмпературнага хларавання.
3. Устойлівасць да эрозіі: высокая цвёрдасць, кампактная паверхня, дробныя часціцы.
4. Каразійная ўстойлівасць: кіслоты, шчолачы, солі і арганічныя рэагенты.
Асноўныя характарыстыкі пакрыцця CVD-SIC
| Уласцівасці SiC-CVD | ||
| Крышталічная структура | FCC β фаза | |
| Шчыльнасць | г/см³ | 3.21 |
| Цвёрдасць | Цвёрдасць па Віккерсу | 2500 |
| Памер збожжа | мкм | 2~10 |
| Хімічная чысціня | % | 99,99995 |
| Цеплаёмістасць | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Тэмпература сублімацыі | ℃ | 2700 |
| Felexural Сіла | МПа (RT 4-кропка) | 415 |
| Модуль Юнга | Gpa (выгіб 4 пункты, 1300 ℃) | 430 |
| Цеплавое пашырэнне (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Цеплаправоднасць | (Вт/мК) | 300 |
-
Гарачая зона графітавага награвальніка/гарачае поле графіту, каля...
-
Латкі для шпілек з карбіду карбіду для працэсаў тручэння ICP у ...
-
Палову часткі для SiC эпітаксійнага абсталявання
-
Рэактар з цвёрдасплаўным пакрыццём Рэактар са ствалом
-
Графітавы ствол з SiC-пакрыццём для эпітаксіяльнага росту
-
Паўправадніковы эпітаксіяльны рэактар з пакрыццём SiC для ...