Вафлі SOI

Кароткае апісанне:

Пласціна SOI - гэта сэндвіч-падобная структура з трох слаёў;Уключаючы верхні пласт (слой прылады), сярэдні слой схаванага кіслароду (для ізаляцыйнага пласта SiO2) і ніжнюю падкладку (аб'ёмны крэмній).Пласціны SOI вырабляюцца з выкарыстаннем метаду SIMOX і тэхналогіі склейвання пласцін, што дазваляе ствараць больш тонкія і дакладныя пласты прылады, аднастайную таўшчыню і нізкую шчыльнасць дэфектаў.

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Вафлі SOI (1)

Поле прымянення

1. Высакахуткасная інтэгральная схема

2. Мікрахвалевыя прылады

3. Высокотэмпературная інтэгральная схема

4. Сілавыя прылады

5. Інтэгральная схема малой магутнасці

6. МЭМС

7. Інтэгральная схема нізкага напружання

Пункт		Аргумент
У цэлым	Дыяметр вафлі 晶圆尺寸 (мм)	50/75/100/125/150/200 мм±25 мкм
	Лук / аснова 翘曲度(	<10 мкм
	Часціцы 颗粒度(	0,3 мкм<30 шт
	Плоскі/выемка 定位边/定位槽	Плоскі або Notch
	Выключэнне краю 边缘去除 (мм)	/
Узровень прылады 器件层	Тып пласта прылады/дапаможнік 器件层掺杂类型	N-тып/P-тып B/ P/ Sb / As
	Арыентацыя ўзроўню прылады 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Таўшчыня пласта прылады 器件层厚度(гм)	0,1~300 мкм
	Удзельнае супраціўленне пласта прылады 器件层电阻率 (Ом•см)	0,001~100 000 Ом-см
	Часціцы ўзроўню прылады 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Узровень прылады TTV 器件层TTV(	<10 мкм
	Аздабленне пласта прылады 器件层表面处理	Адшліфаваны
СКРЫНКА	Таўшчыня тэрмічнага аксіду 埋氧层厚度(гм)	50 нм (500 Å) ~ 15 мкм
Слой ручкі 衬底	Ручка вафельнага тыпу/прысадка 衬底层类型	N-тып/P-тып B/ P/ Sb / As
	Арыентацыя пласціны ручкі 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Апрацоўка вафельнага супраціву 衬底电阻率 (Ом•см)	0,001~100 000 Ом-см
	Таўшчыня пласціны ручкі 衬底厚度(гм)	>100 мкм
	Вафельная аздабленне ручкі 衬底表面处理	Адшліфаваны
Пласціны SOI мэтавых спецыфікацый можна наладзіць у адпаведнасці з патрабаваннямі заказчыка.