Барэльны рэактар ​​для вадкаснай эпітаксіі

Кароткае апісанне:

Semicera прапануе шырокі спектр токоприемников і графітавых кампанентаў, прызначаных для розных рэактараў эпітаксіі.

Дзякуючы стратэгічнаму партнёрству з вядучымі ў галіны OEM-вытворцамі, шырокаму вопыту матэрыялаў і пашыраным вытворчым магчымасцям, Semicera забяспечвае індывідуальныя канструкцыі для задавальнення канкрэтных патрабаванняў вашага прыкладання.Наша прыхільнасць да дасканаласці гарантуе, што вы атрымаеце аптымальныя рашэнні для вашых патрэб эпітаксіяльнага рэактара.

 

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Наша кампанія забяспечваеSiC пакрыццёпаслугі па апрацоўцы паверхні графіту, керамікі і іншых матэрыялаў метадам CVD, так што спецыяльныя газы, якія змяшчаюць вуглярод і крэмній, могуць уступаць у рэакцыю пры высокай тэмпературы з атрыманнем малекул Sic высокай чысціні, якія можна асаджваць на паверхні матэрыялаў з пакрыццём з адукацыяйАхоўны пласт SiCдля эпітаксіі бочкавага тыпу гіпнатычны.

 

Асноўныя рысы:

1 .Графіт з пакрыццём SiC высокай чысціні

2. Выдатная цеплаўстойлівасць і цеплавая аднастайнасць

3. ВыдатнаКрышталь SiC з пакрыццёмдля гладкай паверхні

4. Высокая трываласць супраць хімічнай ачысткі

 
Барэльны прыймальнік для вадкаснай эпітаксіі

Асноўныя тэхнічныя характарыстыкіПакрыццё CVD-SIC

Уласцівасці SiC-CVD

Крышталічная структура FCC β фаза
Шчыльнасць г/см³ 3.21
Цвёрдасць Цвёрдасць па Віккерсу 2500
Памер збожжа мкм 2~10
Хімічная чысціня % 99,99995
Цеплаёмістасць Дж·кг-1 ·К-1 640
Тэмпература сублімацыі 2700
Felexural Сіла МПа (RT 4-кропка) 415
Модуль Юнга Gpa (выгіб 4 пункты, 1300 ℃) 430
Цеплавое пашырэнне (CTE) 10-6К-1 4.5
Цеплаправоднасць (Вт/мК) 300

 

 
2--cvd-sic-чысціня---99-99995-_60366
5----sic-crystal_242127
Semicera Працоўнае месца
Працоўнае месца Semicera 2
Абсталяванне машына
Апрацоўка CNN, хімічная ачыстка, CVD пакрыццё
Наш сэрвіс

  • Папярэдняя:
  • далей: