Падкладкі GaAs падзяляюцца на токаправодныя і паўізаляцыйныя, якія шырока выкарыстоўваюцца ў лазерах (LD), паўправадніковых святлодыёдах (LED), лазерах блізкага інфрачырвонага дыяпазону, лазерах з квантавай ямай высокай магутнасці і высокаэфектыўных сонечных панэлях.Мікрасхемы HEMT і HBT для радарных, мікрахвалевых, міліметровых або звышхуткасных кампутараў і аптычнай сувязі;Радыёчастотныя прылады для бесправадной сувязі, 4G, 5G, спадарожнікавай сувязі, WLAN.
Нядаўна падкладкі з арсеніду галію таксама дасягнулі вялікага прагрэсу ў міні-святлодыёдах, мікра-святлодыёдах і чырвоных святлодыёдах і шырока выкарыстоўваюцца ў носных прыладах AR/VR.
| Дыяметр | 50 мм |75 мм |100 мм |150 мм |
| Метад росту | LEC液封直拉法 |
| Таўшчыня пласцін | 350 мкм ~ 625 мкм |
| Арыентацыя | <100> / <111> / <110> або іншыя |
| Кандуктыўны тып | P – тып / N – тып / Паўізаляцыйныя |
| Тып/Дапаможнік | Zn / Si / недапаваны |
| Канцэнтрацыя носьбіта | 1E17 ~ 5E19 см-3 |
| Удзельнае супраціўленне пры КТ | ≥1E7 для СІ |
| Мабільнасць | ≥4000 |
| EPD (шчыльнасць тручэння ямкі) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10 мкм |
| Лук / аснова | ≤ 20 мкм |
| Аздабленне паверхні | DSP/SSP |
| Лазерная марка |
|
| Гатунак | Эпіпаліраваны клас / механічны клас |
