Пласціна з карбіду крэмніявыраблены з парашка крэмнія высокай чысціні і парашка вугляроду высокай чысціні ў якасці сыравіны, а крышталь карбіду крэмнія вырошчваецца метадам фізічнага пераносу пары (PVT) і перапрацоўваецца ўкарбід крэмнія пласціны.
① Сінтэз сыравіны.Парашок крэмнію высокай чысціні і парашок вугляроду высокай чысціні змешваліся ў пэўных суадносінах, і часціцы карбіду крэмнію сінтэзаваліся пры высокай тэмпературы вышэй за 2000 ℃.Пасля драбнення, ачысткі і іншых працэсаў рыхтуецца парашок карбіду крэмнію высокай чысціні, які адпавядае патрабаванням росту крышталяў.
② Рост крышталя.Выкарыстоўваючы парашок SIC высокай чысціні ў якасці сыравіны, крышталь быў вырашчаны метадам фізічнага пераносу пары (PVT) з выкарыстаннем печы для росту крышталяў уласнай распрацоўкі.
③ апрацоўка зліткаў.Атрыманы крышталічны злітак карбіду крэмнію арыентавалі з дапамогай рэнтгенаўскага монакрысталічнага арыентатара, затым шліфавалі і пракатвалі і апрацоўвалі ў крышталь карбіду крэмнію стандартнага дыяметра.
④ Агранка крышталя.З дапамогай шматлінейнага рэжучага абсталявання крышталі карбіду крэмнія разразаюцца на тонкія лісты таўшчынёй не больш за 1 мм.
⑤ Шліфаванне стружкі.Пласціна здрабняецца да жаданай плоскасці і шурпатасці алмазнымі шліфавальнымі вадкасцямі рознага памеру.
⑥ Паліроўка сколаў.Паліраваны карбід крэмнію без пашкоджанняў паверхні быў атрыманы шляхам механічнай паліроўкі і хіміка-механічнай паліроўкі.
⑦ Выяўленне чыпаў.Выкарыстоўвайце аптычны мікраскоп, рэнтгенаўскі дыфрактометр, атамна-сілавы мікраскоп, бескантактавы тэстар удзельнага супраціўлення, тэстар плоскасці паверхні, комплексны тэстар дэфектаў паверхні і іншыя інструменты і абсталяванне для вызначэння шчыльнасці мікратрубачак, якасці крышталя, шурпатасці паверхні, удзельнага супраціву, дэфармацыі, крывізны, змяненне таўшчыні, драпіна на паверхні і іншыя параметры пласціны з карбіду крэмнію.Па гэтым і вызначаецца ўзровень якасці чыпа.
⑧ Ачыстка сколаў.Паліравальны ліст з карбіду крэмнію чысціцца ачышчальным сродкам і чыстай вадой для выдалення рэшткаў паліравальнай вадкасці і іншых паверхневых забруджванняў на паліравальным лісце, а затым пласціна выдзімаецца і вытрасаецца насуха азотам звышвысокай чысціні і сушыльнай машынай;Пласціна змяшчаецца ў скрынку з чыстым лістом у звышчыстай камеры для фарміравання гатовай да выкарыстання пласціны з карбіду крэмнію.
Чым большы памер чыпа, тым складаней адпаведная тэхналогія вырошчвання і апрацоўкі крышталяў, і чым вышэй эфектыўнасць вытворчасці наступных прылад, тым ніжэй кошт адзінкі.
Час публікацыі: 24 лістапада 2023 г